DMN2009USS_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/6.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2009USS 型號MOS管采用精巧SOP-8封裝，內(nèi)含高效N溝道技術(shù)，專為高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，確保在20A連續(xù)漏極電流(ID)下的穩(wěn)定工作，展現(xiàn)卓越的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至6.3mR，極大地提高了電能轉(zhuǎn)換效率并降低熱量損耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動、高電流開關(guān)控制等場景，是提升電子設(shè)備性能和節(jié)能表現(xiàn)的優(yōu)選半導(dǎo)體元器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2009USS_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/6.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/6.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢