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              SIRA12DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000圓盤
                                                        參數1：N溝道
                                                        參數2：VDSS/30.0V
                                                        參數3：ID/120.0A
                                                        參數4：RDON/3.5mR
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              SIRA12DP-T1-GE3 型號N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼顧小型化與高效散熱性能，特別適合于高集成度電路設計。器件支持30V額定電壓VDSS，提供高達120A的連續電流ID，展現了卓越的功率處理能力。其導通電阻僅為3.5mR，極大提升了能源轉換效率，降低了系統損耗。
                              
              
            
              
            
              
                
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