AON6508_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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AON6508 N溝道MOS管選用先進的DFN5X6-8L封裝，兼顧小巧體積與高效性能。其額定電壓VDSS為30V，最大連續漏極電流高達150A，輕松應對高電壓大電流應用場景。尤為突出的是，器件導通電阻僅為2mΩ，確保在高負載條件下仍能維持低功耗和高效能運作。適用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您優化電路設計、提升系統效能的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON6508_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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