IRFH7932PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------

IRFH7932PBF 是一款N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)打造。器件支持最大漏源電壓VDSS為30V，可承載高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為2mΩ，顯著降低功耗并提升電路效率，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是高功率、高效能電路的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH7932PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢