SM6442D1RL_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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型號為SM6442D1RL 的N溝道MOS管，采用先進的DFN5X6-8L封裝技術，尺寸精巧，布局靈活，特別適合高密度集成設計。該器件擁有卓越的電氣參數40V的最大漏源電壓(VDSS)，可承受高達60A的連續漏極電流(ID)，且導通電阻低至6.9mΩ(RD(on))，保證了高效的能源轉換和傳輸性能。本產品廣泛應用于開關電源、充電器、電機驅動等對效率要求較高的電路系統，是您提升整體系統性能的優質之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SM6442D1RL_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢