NVMFS5C466N_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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NVMFS5C466N 是一款高性能N溝道MOSFET，采用DFN5X6-8L封裝，體積小巧，適應各種緊湊型設計需求。該器件擁有40V的漏源電壓(VDSS)和高達60A的連續漏極電流(ID)，確保強大的電流處理能力。其導通電阻僅為6.9mΩ(RD(on))，大大提升了系統能效，減少了能源浪費。此款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是實現高功率、低損耗的理想半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVMFS5C466N_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢