SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

SIR836DP-T1-GE3 N溝道MOS管采用先進的DFN5X6-8L封裝技術，具備出色的熱性能和空間利用率。該器件可在40V電壓VDSS下承載高達50A的連續漏極電流ID，專為高電流應用設計。其核心亮點在于極低的導通電阻RD(on)——11mΩ，有效減少功耗，提升系統效率。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，SIR836DP-T1-GE3 MOS管是尋求高性能、節能解決方案的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

^{<blockquote id="wwcxt"></blockquote>}

SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢