SIRA01DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/90.0A 參數4：RDON/3.6mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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SIRA01DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，集高效散熱與小型化于一體。該器件特色鮮明具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達90A的連續工作電流，且導通電阻(RD(on))低至3.6mΩ，顯著提高了功率轉換效率并降低了能耗。廣泛應用在電源轉換、電機驅動等對電流需求大的領域，是提升系統性能、實現節能目標的優選半導體器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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SIRA01DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/90.0A 參數4：RDON/3.6mR 標價：歡迎咨詢

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