FDMS8888_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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FDMS8888 N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，融合小型化設計與高效散熱性能，為用戶帶來卓越使用體驗。該器件參數卓越支持最高30V的漏源電壓(VDSS)，可承載高達50A的連續電流，且具備6.5mΩ的超低導通電阻(RD(on))，確保了高能效轉換和低損耗運行。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等大電流領域，是提高系統性能與節能效果的理想半導體器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDMS8888_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢