NTMFS4C029N_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NTMFS4C029N N溝道MOSFET采用微型DFN5X6-8L封裝，適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備小型化需求。該器件具有30V的工作電壓（VDSS），并能安全承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)卓越的大電流處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為4.7mΩ（RD(on)），大幅降低功耗，提高系統(tǒng)整體能效。此款MOS管特別適合應(yīng)用于高功率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動控制器以及其他對電流承載和能效要求極高的場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTMFS4C029N_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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