SIR468DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/4.3mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

SIR468DP-T1-GE3 是一款采用小型化DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，專為高效能和空間敏感型設計而生。該器件在30V的電壓VDSS下穩定工作，能提供高達80A的連續電流，充分滿足高電流應用的需求。其亮點在于僅4.3mR的超低導通電阻RD(on)，有效減少能量損耗，提高整體能效。無論在電源轉換、馬達驅動還是其他大電流負載控制場合，SIR468DP-T1-GE3 都是理想的半導體元件解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR468DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/4.3mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/4.3mR 標價：歡迎咨詢