FDN5632N-F085_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FDN5632N-F085 型號MOS管，采用小型化SOT-23-3L封裝設計，特別適應于緊湊空間內(nèi)的集成應用。這款N溝道MOSFET提供60V的高額定電壓及4.5A的穩(wěn)定漏極電流，可滿足多種高電壓、大電流場景需求。同時，其導通電阻僅為70mΩ，有助于優(yōu)化能源效率，降低系統(tǒng)損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等廣泛領(lǐng)域，是精簡且高效的半導體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN5632N-F085_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

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