FDN028N20_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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FDN028N20 N溝道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封裝，專為現代高密度電子設計。器件提供20V的漏源電壓(VDSS)，在18mR的低導通電阻(RD(on))下，可承載高達6A的漏極電流(ID)。此款MOS管適用于開關電源轉換、電機驅動、以及其他高電流應用場合，憑借其卓越的電流承載能力和優良能效表現，是您提升系統性能、降低能耗的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN028N20_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢