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              Si2328DS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/100.0V 參數3:ID/5.0A 參數4:RDON/100.0mR 標價:歡迎咨詢

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              Si2328DS-T1-GE3 N溝道MOSFET,采用經濟高效的SOT-23-3L封裝,專為要求嚴苛的電力應用設計。器件具備強大性能,最高工作電壓VDSS達100V,連續電流承載能力高達5A,同時具有出色的100mR導通電阻,確保在高功率運行下也能保持低能耗。此款MOS管廣泛應用在電源管理、馬達驅動、逆變器等領域,是眾多工程師設計解決方案的首選組件。

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