FDN306P_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

FDN306P P溝道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封裝，專為高效率、低阻抗電路設計。器件亮點在于強大的電氣規格，最大工作電壓VDSS為20V，連續電流承載能力高達4.1A，且擁有超低導通電阻RD(on)僅為34mR，實現了卓越的電能轉化效率與快速響應速度。廣泛適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等應用環境，FDN306P 憑借其出色的性能表現與穩定質量，成為眾多電子設計工程師的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN306P_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢