Si3932DV_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si3932DV 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23-6L封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子設備設計。該器件可在30V的最大漏源電壓(VDSS)下穩(wěn)定工作，提供4.5A的連續(xù)漏極電流(ID)，并擁有低至29mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在高電流應用中實現(xiàn)高效能和低功耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關、邏輯電平轉換等電路設計中，是實現(xiàn)小型化、節(jié)能方案的理想半導體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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Si3932DV_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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