DMG9926UDM_SOT-23-6L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMG9926UDM 是一款NN溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23-6L封裝，專為高效率、小尺寸電路設(shè)計(jì)。器件提供20V的漏源電壓(VDSS)，每通道在22mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))下，可分別承載高達(dá)6A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、多路負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域，憑借其出色的電流處理能力和雙通道設(shè)計(jì)，極大地提升了系統(tǒng)性能和集成度。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

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DMG9926UDM_SOT-23-6L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢