AON1605_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/350.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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AON1605 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN1006-3L封裝，適用于空間敏感和低功耗應用。器件提供20V的漏源電壓VDSS，最大可處理0.8A的連續漏極電流ID，尤其適合用于電源開關、負載驅動等場合。其350mR的導通電阻RD(on)在同類型器件中表現出較好的能效水平，廣泛應用于移動設備、消費類電子產品及各類便攜式設備的電源管理和邏輯控制功能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON1605_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/350.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/350.0mR 標價：歡迎咨詢