SIC肖特基二極管

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產品介紹

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導體碳化硅肖特基二極管，提供行業標準封裝，具有優越的性能和極高的工作效率。

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