BC856BDW1T1G_SOT-363_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP+PNP 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該三極管采用雙PNP結構，具有較高的直流電流增益（HFE）特性，范圍在200至450之間，適用于精確信號放大與電流控制。集電極電流（IC）為0.1A，集電極-發射極耐壓（VCEO）達65V，具備良好的電壓承受能力。其特征頻率（FT）高達100MHz，支持高頻信號處理，適合用于高速開關和射頻信號放大等場景。器件組合設計節省空間，廣泛應用于通信設備、消費類電子產品中的信號切換、驅動控制及小功率放大電路。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BC856BDW1T1G_SOT-363_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP+PNP 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP+PNP 標價：歡迎咨詢