NSVBCW68GLT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:60V 參數(shù)3：頻率FT:150MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款PNP型三極管（BJT）具備1A的集電極電流IC和60V的集電極-發(fā)射極電壓VCEO，適用于需要中等功率處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景。其直流電流增益HFE范圍為100至300，確保了有效的信號(hào)放大功能。過渡頻率FT達(dá)到150MHz，表明它在保持良好高頻響應(yīng)的同時(shí)，還能提供穩(wěn)定的性能。該三極管非常適合用于構(gòu)建可靠的電源管理電路及信號(hào)放大解決方案，如家用電子設(shè)備與智能裝置中，有助于提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NSVBCW68GLT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:60V 參數(shù)3：頻率FT:150MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:60V 參數(shù)3：頻率FT:150MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢