SBC856ALT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

這款PNP三極管（BJT）適用于精細控制與高電壓需求的電路設計，最大集電極電流IC為0.1A，集電極-發射極電壓VCEO高達65V，確保在高壓環境下的穩定操作。其直流電流增益HFE范圍是125至250，能夠提供有效的信號放大功能。此外，該三極管的過渡頻率FT為100MHz，使其成為需要高速處理和精確放大的電子設備的理想選擇，如無線通訊模塊和家用音頻設備，滿足高效能與快速響應的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SBC856ALT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:0.1A 參數2：電壓VCEO:65V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢