MMBT589LT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:1A 參數2：電壓VCEO:30V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這款PNP三極管（BJT）具有1A的集電極電流（IC）能力，適用于需要中等功率處理的電路。其集電極-發射極電壓（VCEO）為30V，確保在低壓應用中的穩定性和可靠性。直流電流增益（HFE）范圍在100至300之間，提供了良好的信號放大效果。該三極管的過渡頻率（FT）達到100MHz，使其在高頻操作條件下依然表現出色。此元件非常適合用于構建對信號放大精度和響應速度有高要求的電子設備，如無線通訊模塊或便攜式音頻裝置，滿足復雜電路設計的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MMBT589LT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IC:1A 參數2：電壓VCEO:30V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數1：電流IC:1A 參數2：電壓VCEO:30V 參數3：頻率FT:100MHZ 參數4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢