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BU406T1TL_TO-220C_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：三極管(BJT) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：電流IC:7A 參數(shù)2：電壓VCEO:200V 參數(shù)3：頻率FT:10MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:NPN 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款NPN型三極管，型號為IC:7A，具備穩(wěn)健的電氣性能，集電極-發(fā)射極最大承受電壓VCEO高達(dá)200V，能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其電流增益HFE在1A、5V條件下范圍為50至100，意味著能夠有效地放大輸入電流，適用于各種放大和開關(guān)電路設(shè)計(jì)。憑借其出色的參數(shù)，此三極管是構(gòu)建高性能放大器和開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，能夠滿足對增益和耐壓有較高要求的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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BU406T1TL_TO-220C_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：三極管(BJT) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IC:7A 參數(shù)2：電壓VCEO:200V 參數(shù)3：頻率FT:10MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:NPN 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：三極管(BJT) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：電流IC:7A 參數(shù)2：電壓VCEO:200V 參數(shù)3：頻率FT:10MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:NPN 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢