BSP33-HXY_SOT-223_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:80V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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此款PNP型三極管（BJT）專為高效能應用設計，具備1A的集電極電流（IC）能力，確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行。其集電極-發(fā)射極擊穿電壓（VCEO）高達80V，提供良好的電氣隔離保護。該三極管的直流電流增益（HFE）范圍為100至250，適用于需要精確放大信號的場合。此外，它擁有100MHz的過渡頻率（FT），能夠支持高頻應用而不失真。這些特性使其成為音頻設備及其他敏感電子組件中不可或缺的部分。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSP33-HXY_SOT-223_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤 參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:80V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：電流IC:1A 參數(shù)2：電壓VCEO:80V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標價：歡迎咨詢