NSVBCH807-25LT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：電流IC:0.5A 參數(shù)2：電壓VCEO:45V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

此款PNP型三極管（BJT）專為高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備集電極電流IC達(dá)0.5A，集電極-發(fā)射極電壓VCEO高達(dá)45V，確保在各種操作環(huán)境下穩(wěn)定工作。其直流電流增益HFE范圍為160至400，特別適合需要精確信號放大和處理的場景。此外，該三極管的過渡頻率FT達(dá)到100MHz，保證了高速響應(yīng)和高頻率操作性能，適用于如通信設(shè)備、消費(fèi)電子等對信號處理有高度要求的領(lǐng)域。其卓越的參數(shù)配置使其成為構(gòu)建復(fù)雜電路的理想選擇，滿足從基礎(chǔ)到高級的多樣化需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NSVBCH807-25LT1G-HXY_SOT-23_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IC:0.5A 參數(shù)2：電壓VCEO:45V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：三極管(BJT) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：電流IC:0.5A 參數(shù)2：電壓VCEO:45V 參數(shù)3：頻率FT:100MHZ 參數(shù)4：晶體管類型:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢