2P4M_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該器件為單向可控硅模塊，通態平均電流（It）為2A，可承受最高600V的斷態重復峰值電壓（Vdrm），適用于交流電源控制場合。內部集成一個單向可控硅芯片，具備可靠的電壓阻斷能力與電流導通特性，可在高電壓、中等電流條件下穩定工作。典型應用包括電源開關電路、交流調壓裝置、照明控制、電機速度調節及各類固態繼電器設計，適合需要精確相位控制與負載功率調節的電子系統，滿足多種中低功率電力電子場景的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2P4M_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/圓盤 參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢