BT134-800E_SOT-223-2L_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223-2L 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):IGT4: 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該雙向可控硅模塊具有2A的通態平均電流（It）和800V的斷態重復峰值電壓（Vdrm），適用于中等功率交流控制應用。器件內部集成單個雙向可控硅，可在交流正負半周均實現可控導通，支持全波相位控制。具備良好的電壓阻斷能力與熱穩定性，適用于照明調光、加熱元件控制、小型電機調速、電源開關電路及家用電器中的功率調節模塊，適合對可靠性與緊湊設計有要求的電子系統，廣泛用于各類需要精確交流功率管理的場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BT134-800E_SOT-223-2L_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223-2L 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/圓盤 參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):IGT4: 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223-2L 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):IGT4: 標價：歡迎咨詢