2P4M_SOT-89_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該單向可控硅模塊具有2A通態平均電流（It）和600V斷態重復峰值電壓（Vdrm），適用于中等功率的電源控制應用。器件在正向阻斷與導通狀態下均具備良好穩定性，需通過門極觸發信號實現導通控制。其單向導電特性適用于整流電路、直流電源開關、電池充電管理、小型電磁負載驅動及交流電整流后的直流側控制。該模塊具備較高的電壓耐受能力，適用于要求緊湊設計與可靠開關性能的交流-直流轉換裝置與功率調節設備，配合散熱措施可確保持續運行的熱穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2P4M_SOT-89_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/圓盤 參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢