BT169_SOT-89_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):0.8A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該器件為單體單向可控硅模塊，通態平均電流（It）為0.8A，斷態重復峰值電壓（Vdrm）可達600V，具備穩定的電壓阻斷與電流導通能力。作為單向導通器件，適用于直流或脈動直流電路中的開關與調壓應用。其特性適合用于電源整流、電池充電電路、小型電機控制、照明調光及阻性負載的功率調節。該可控硅在過壓與過流條件下具有良好的耐受性，配合觸發電路可實現精確的導通角控制，廣泛用于各類交流輸入整流后級控制與電源管理模塊中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BT169_SOT-89_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/圓盤 參數1：通態電流(It):0.8A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/圓盤參數1：通態電流(It):0.8A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢