2P4M_TO-126_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：500/袋裝參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該產品為單向晶閘管模塊，核心參數包括通態電流（It）為2A，可穩定承載工作電流；斷態峰值電壓（Vdrm）達600V，具備良好的耐壓能力，適用于中等功率電源控制場合。內部集成一個單向可控硅，具有可靠的正向阻斷與導通特性，適用于交流調壓、開關電源、照明控制及電機驅動等應用。其模塊化設計有利于散熱與安裝，確保長時間運行的穩定性，適合對電氣性能要求較高的電路設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2P4M_TO-126_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：500/袋裝 參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：500/袋裝參數1：通態電流(It):2A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個單向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):10-30uA 標價：歡迎咨詢