MSB40M_UMSB_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：UMSB 類別：整流橋最小包裝：3000/圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：整流電流: 4A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1000V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款整流橋具備優異的電性能參數，適用于多種電源轉換場景。其正向壓降為1.1V @4A，在高電流環境下依然保持穩定表現；直流反向耐壓可達1000V，確保在高壓應用中的可靠性；最大整流電流能力為4A，支持較高功率的整流需求；同時，在額定電壓下的反向漏電流僅為5μA @1000V，表現出良好的阻斷特性。該器件廣泛應用于電源適配器、充電設備及各類電子電器中，滿足高效、低損耗的整流要求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MSB40M_UMSB_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：UMSB 類別：整流橋 最小包裝：3000/圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：整流電流: 4A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1000V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：UMSB 類別：整流橋最小包裝：3000/圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：整流電流: 4A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1000V 標價：歡迎咨詢