GBU1508TB_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：GBU 類(lèi)別：整流橋最小包裝：500/盒裝參數(shù)1：電壓:800V 參數(shù)2：電流:15A 參數(shù)3：壓降:1.05V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

此款整流橋具備800V的反向電壓（VR）與15A的正向電流（IF），適用于多種交流到直流的轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其1.05V的正向電壓降（VF）有助于提高效率并減少發(fā)熱。5μA的反向漏電流（IR）確保了低功耗表現(xiàn)。此外，它能在短時(shí)間內(nèi)承受高達(dá)220A的瞬態(tài)浪涌電流（IFSM），適用于電源供應(yīng)單元、充電設(shè)備及各類(lèi)家用電器等場(chǎng)合，提供穩(wěn)定可靠的整流功能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

GBU1508TB_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：GBU 類(lèi)別：整流橋 最小包裝：500/盒裝 參數(shù)1：電壓:800V 參數(shù)2：電流:15A 參數(shù)3：壓降:1.05V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：GBU 類(lèi)別：整流橋最小包裝：500/盒裝參數(shù)1：電壓:800V 參數(shù)2：電流:15A 參數(shù)3：壓降:1.05V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢