RN1101,LXHF(CT_SOT-523_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數1：晶體管類型:NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：功率(Pd):150mW 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該數字晶體管采用NPN結構，適用于需要信號處理和開關控制的電路設計。其集射極擊穿電壓為50V，可承受較高電壓應力，確保在多種工作條件下穩定運行。最大集電極電流為100mA，支持中低功率應用需求。器件的額定功率為150mW，具備良好的熱穩定性與可靠性。由于其集成度高、響應速度快的特點，廣泛用于消費類電子產品、通信模塊及便攜設備中的邏輯控制、驅動與放大電路中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RN1101,LXHF(CT_SOT-523_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數字晶體管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：晶體管類型:NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：功率(Pd):150mW 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數1：晶體管類型:NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：功率(Pd):150mW 標價：歡迎咨詢