智能增強型氮化鎵驅動 EGaN Smart-Driver
品牌：JTM 標價：請聯系咨詢
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產品介紹
? 在使用增強型氮化鎵器件時，您是否困擾于柵極回路面積大，導致柵極電壓振蕩，甚至柵極擊穿？或因氮化鎵閾值電壓低，柵極誤開啟而炸管子？
? 驅動集成氮化鎵器件管腳復雜，散熱性能比傳統功率封裝差？且不同供應商集成方案管腳相互不兼容？
? 分立氮化鎵器件中，SGT肖特基柵極器件和GIT歐姆柵極器件沒有通用兼容的驅動方案？
? EMI難以調節，尤其是不同工況和負載的情況下？
? 現有氮化鎵方案老化之后會效率變低？柵極漏電流變化導致EMI及損耗變化？
? 現有氮化鎵器件硬切開通及關斷損耗過高？
晶通半導體EGaN Smart-Driver?技術平臺解決了增強型氮化鎵供應鏈的痛點，大幅提升氮化鎵“可靠性、效率、易用性”，達到甚至超越集成驅動氮化鎵器件的性能。Smart-Driver?是世界首款可以直驅GITE GaN同時兼容SGT E GaN的驅動方案， 并提供下列各項優勢：
? 最小化柵極環路、減小環路震蕩及柵極過沖
? 提升開通關斷效率最高達40%
? 補償柵極漏電流對開關速度/EMI和損耗的影響
? 補償動態閾值電壓對開關速度/EMI和損耗的影響
? 通過外加RDRV電阻，EMI調節簡單
? 優化柵極開通關斷瞬態，實現可靠開通和關斷
? 柵極電流自適應Ciss, Rdson 涵蓋18mΩ到400mΩ
Smart-Driver?產品目錄–覆蓋 100V-700V 全電壓/全RDS(ON)范圍：
Voltage Class | Part | Package | Typ.VOUT (V) | GaN Type | Driving Capability for Typ. RDS(ON) Range | Engineering Samples | DUTs Example |
600-700V | 2511U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | < 50mΩ (Level 1) | Now | INN650TA030AH E65P028L10 (TSMC) |
2513U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGT65R025D2 | ||
2514U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | 50mΩ – 100mΩ (Level 2) | Now | INN650D070AH E65P070B10 (TSMC) | |
2516U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGLD65R055D2 | ||
2517U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | 100mΩ – 200mΩ (Level 3) | Now | INN700D140C E65P120B10 (TSMC) | |
2519U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGLD65R110D2 | ||
40-200V | 2613D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | 15nC < Qg | Now | INN200EQ018A IGC090S20S1 EPC2302/EPC2306 |
2616D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | 8nC < Qg < 15nC | Now | ||
2619D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | Qg < 8nC | Now |
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