HKRC404ERTKP_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):30mA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款數(shù)字晶體管屬于NPN型，具有穩(wěn)定的電氣特性，適用于多種電路設(shè)計中。其集射極擊穿電壓（Vceo）為50V，這意味著當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓差超過此值時，可能會導(dǎo)致器件損壞。此外，該晶體管的最大集電極電流（Ic）為30mA，限制了通過集電極所能承載的最大電流，適用于驅(qū)動小型負(fù)載或作為開關(guān)元件使用。此款晶體管在信號放大及邏輯門電路中有良好的表現(xiàn)，是電子愛好者和設(shè)計師的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HKRC404ERTKP_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):30mA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):30mA 標(biāo)價：歡迎咨詢