DTC123JE3HZGTL_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款數(shù)字晶體管為NPN型，其設(shè)計(jì)適用于多種電子電路。它具有50V的集射極擊穿電壓（Vceo），能夠有效防止在較高電壓條件下發(fā)生擊穿現(xiàn)象，保障了使用的安全性。晶體管支持最大100mA的集電極電流（Ic），適合于小功率應(yīng)用中的信號(hào)放大或開關(guān)操作。該晶體管可以應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中，如音頻設(shè)備和個(gè)人電子產(chǎn)品的小信號(hào)處理，提供穩(wěn)定且高效的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DTC123JE3HZGTL_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢