DTB143ECT116_SOT-23_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:PNP 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

此款數(shù)字晶體管為PNP型，具備堅固的設(shè)計，適用于多種電子應(yīng)用。它擁有50V的集射極擊穿電壓（Vceo），確保了在處理高壓信號時的安全性和可靠性。該晶體管能夠承載高達100mA的集電極電流（Ic），這使得它成為驅(qū)動各類小型電子裝置的理想選擇。無論是用于信號放大還是作為開關(guān)元件，此款晶體管都能在消費類電子產(chǎn)品及日常家用設(shè)備中發(fā)揮其優(yōu)良性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DTB143ECT116_SOT-23_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數(shù)字晶體管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：晶體管類型:PNP 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：晶體管類型:PNP 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):100mA 標價：歡迎咨詢