MUN5211T1G_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):50mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款數(shù)字晶體管為NPN型，具備50V的集射極擊穿電壓（Vceo），能夠在較高電壓的應(yīng)用環(huán)境中保持穩(wěn)定工作。其集電極電流（Ic）為50mA，適用于需要精確電流控制的應(yīng)用，如消費(fèi)電子產(chǎn)品的信號(hào)放大或開(kāi)關(guān)功能。這種晶體管可以應(yīng)用于各種小型電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)信號(hào)增強(qiáng)或邏輯門(mén)電路的設(shè)計(jì)，是構(gòu)建高性能電路的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

MUN5211T1G_SOT-523_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):50mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類別：數(shù)字晶體管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：晶體管類型:NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic):50mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢