DDTA143ZCA-7-F_SOT-23_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數1：晶體管類型:1個PNP-預偏置參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：耗散功率(Pd):200mW 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

本產品為數字晶體管，內置單個PNP型預偏置晶體管，適用于需要信號處理和開關控制的電路設計。其集射極擊穿電壓（Vceo）可達50V，支持最高100mA的集電極電流（Ic），具備200mW的耗散功率（Pd），能夠在較寬的工作范圍內穩定運行。該器件常用于通信設備、消費類電子產品及便攜式儀器中的邏輯轉換、驅動控制等場景，具備良好的兼容性和可靠性，適合在通用數字電路中實現高效、低功耗操作。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DDTA143ZCA-7-F_SOT-23_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數字晶體管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：晶體管類型:1個PNP-預偏置 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：耗散功率(Pd):200mW 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：數字晶體管最小包裝：3000/圓盤參數1：晶體管類型:1個PNP-預偏置參數2：集射極擊穿電壓(Vceo):50V 參數3：集電極電流(Ic):100mA 參數4：耗散功率(Pd):200mW 標價：歡迎咨詢