2SB649_TO-126_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：三極管(BJT) 最小包裝：500/袋裝參數(shù)1：IC:1.5A 參數(shù)2：VCEO:150V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:60-250 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該PNP型三極管具有1.5A的集電極電流（IC）和150V的集電極-發(fā)射極電壓（VCEO），適用于中等功率的放大與開關(guān)電路。其直流電流增益（HFE）范圍為60至250，具備較寬的增益覆蓋，適應(yīng)不同信號控制需求。器件可在高電壓條件下穩(wěn)定工作，適合用于電源管理模塊、信號轉(zhuǎn)換電路及驅(qū)動級設(shè)計。廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、通信設(shè)備、家用電器及嵌入式系統(tǒng)中的開關(guān)與放大功能，滿足多種通用電路對性能與可靠性的要求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2SB649_TO-126_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：三極管(BJT) 最小包裝：500/袋裝 參數(shù)1：IC:1.5A 參數(shù)2：VCEO:150V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:60-250 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-126 類別：三極管(BJT) 最小包裝：500/袋裝參數(shù)1：IC:1.5A 參數(shù)2：VCEO:150V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:60-250 標價：歡迎咨詢