MJD127G_TO-252-2L_達林頓管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：達林頓管最小包裝：2500/圓盤參數1：IC:5A 參數2：VCEO:100V 參數3：TYPE:PNP 參數4：HFE:2000-8000 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該達林頓晶體管由兩只PNP型三極管復合構成，具備5A的集電極電流（IC）和100V的集電極-發射極耐壓（VCEO），適用于高增益與高功率需求的電路設計。其電流放大倍數（HFE）可達2000至8000，顯著提升輸入阻抗與電流驅動能力，適合用于信號緩沖、高靈敏度開關及功率驅動電路。該器件可在低輸入電流下控制較大負載，常用于電源管理模塊、繼電器驅動、LED控制及消費類電子設備中的精密模擬與數字接口電路。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MJD127G_TO-252-2L_達林頓管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：達林頓管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IC:5A 參數2：VCEO:100V 參數3：TYPE:PNP 參數4：HFE:2000-8000 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：達林頓管最小包裝：2500/圓盤參數1：IC:5A 參數2：VCEO:100V 參數3：TYPE:PNP 參數4：HFE:2000-8000 標價：歡迎咨詢