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BD680_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IC:4A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:2000-15000 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該PNP型三極管額定集電極電流為4A，集射極擊穿電壓為80V，適用于中等功率的模擬與開關(guān)電路。其直流電流增益（HFE）范圍寬，可達(dá)2000至15000，具備優(yōu)異的信號放大能力與靈敏度，適合對增益穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用。常用于電源控制、音頻放大電路、直流變換模塊及消費類電子設(shè)備中的電流驅(qū)動與信號處理環(huán)節(jié)，支持高頻響應(yīng)與穩(wěn)定導(dǎo)通，有助于提升系統(tǒng)能效與響應(yīng)特性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BD680_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IC:4A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:2000-15000 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IC:4A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:2000-15000 標(biāo)價：歡迎咨詢