SIHA24N80AE-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24.9A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具備900V的漏源電壓（VDSS）和24.9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至110mΩ，適用于高電壓、大電流的功率轉換場景。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，顯著提升器件的開關速度與耐溫性能，減少開關損耗。其高效率與高頻率工作能力適用于高壓直流變換、大功率電源模塊及對熱管理要求較高的電力電子系統，適合在緊湊型高功率密度設計中實現更優的能效表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIHA24N80AE-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24.9A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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