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              IPA65R110CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:24A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:110mR 參數4:VGS:VGS:-4/+18VV 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓(VDSS)和24A的連續漏極電流(ID),導通電阻低至110mΩ,適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-4V至!8V,確保了器件在復雜工況下的穩定驅動與安全工作。采用寬禁帶半導體材料,具有優異的開關特性與高溫工作能力,可有效降低系統熱耗散負擔。典型應用包括高密度電源轉換、高頻DC-DC變換器及高性能逆變模塊,適合對功率密度與能效有嚴苛要求的電力電子系統。

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