P3D06006E2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管采用獨立式結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為6A，反向重復(fù)電壓（VR）達650V，適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.36V，具備較低的導(dǎo)通損耗，有助于提升系統(tǒng)能效。得益于碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高擊穿場強，該器件支持高頻開關(guān)操作，同時減少反向恢復(fù)損耗。典型應(yīng)用包括高效開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)、光伏逆變器中的整流模塊以及高功率密度電源適配器，適合對熱性能、轉(zhuǎn)換效率和長期運行可靠性有較高要求的電力電子電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

P3D06006E2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢