CDMSJ22013.8-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至260mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的耐高溫性能與快速開(kāi)關(guān)能力，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換電路。典型應(yīng)用涵蓋高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變系統(tǒng)及高功率密度電源模塊，適用于對(duì)體積與效率有較高要求的電力電子設(shè)計(jì)場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

CDMSJ22013.8-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)