MSC017SMA120B4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具有出色的導(dǎo)通和開關(guān)特性。器件最大漏極電流（ID）為120A，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為16mΩ，有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的耐高壓能力和高效熱管理性能，適合高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于高性能電源系統(tǒng)、儲(chǔ)能設(shè)備及精密電子裝置中的功率管理模塊，為復(fù)雜電路設(shè)計(jì)提供高效且可靠的技術(shù)支持。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MSC017SMA120B4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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