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              AOTF25S65_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:20A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:160mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓(VDSS)和20A連續漏極電流(ID),導通電阻低至160mΩ,有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V,兼容主流驅動電路設計。依托碳化硅材料優勢,器件具有出色的耐高溫性能、快速開關能力以及較低的開關損耗,適用于高頻率工作的拓撲結構。典型應用包括高效能電源轉換模塊、不間斷電源系統、光伏逆變裝置、數據中心電源及高功率密度變換器等場合。

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