CI15S120M3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:15A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.5V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）達(dá)15A，反向重復(fù)電壓（VR）為1200V，適用于較高電壓與電流的工作環(huán)境。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.5V，結(jié)合碳化硅材料的低開關(guān)損耗特性，有助于提升系統(tǒng)能效。器件具備出色的高溫工作穩(wěn)定性與快速反向恢復(fù)能力，可有效減少高頻開關(guān)過程中的能量損耗。主要應(yīng)用于大功率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)逆變器、高性能DC-DC變換器、通信基站供電單元及可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率整流與續(xù)流環(huán)節(jié)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

CI15S120M3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:15A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.5V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:15A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.5V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢